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韓國人，卡住了英偉達的脖子？

差評 整合編輯：龔震 發(fā)布于：2024-04-02 15:06

今天凌晨的時候，小發(fā)給我發(fā)了個大新聞：

 老黃出手，從微軟手里買下了 Xbox ，下一代的 Xbox 將有雙顯卡、 AI 加持，誓要把隔壁的 PS6 錘出人中黃來。

但很不幸，這是一個拙劣的愚人節(jié)惡搞！

我就說嘛，已經(jīng)是 AI 軍火商的老黃，早就把游戲佬們當成牛夫人了，怎么可能花大價錢再來搞游戲。

還記得前不久的 GTC 大會吧，老黃公布 B200 時的狀態(tài)，可比發(fā)布什么 “ 破 4090 ” 嗨多了。

想買老黃顯卡的人，從這里排到了法國。

但，就從世超看來，老黃還真不一定高枕無憂，至少它的脖子被韓國人狠狠卡著。

例如老黃最新發(fā)布的 B200 芯片上，就有多達 4 疊最新的 HBM （ 高帶寬內(nèi)存 ）內(nèi)存芯片：HBM3e 。

而這個東西，在這個星球上，目前基本上只有韓國人能量產(chǎn)。

根據(jù) Trendforce 數(shù)據(jù)，韓國的 SK 海力士和三星，他倆在 2023 年拿捏了全球 90% 的 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能。

而兩年市面上的 AI 芯片，什么 A100 A800 們，反正你能想到的，基本就沒誰能離開 HBM 內(nèi)存。

所以，就在老黃的英偉達市值突破萬億的時候， SK 海力士的股價，也在去年偷偷翻了一倍多，如今市值已經(jīng)突破千億了。。。

就連之前路線選擇錯誤的三星，股價也漲到了近兩年最高的水平。

可能大家對 HBM 內(nèi)存技術有多重要還沒概念。

就這么說吧，韓國在今年初已經(jīng)把這個技術列為國家戰(zhàn)略技術，想通過給 SK 海力士和三星稅收等方面的優(yōu)惠，保持著自家的領先地位。

甚至老黃在最新發(fā)布的 B200 AI 芯片的同時，早就給了 SK 海力士等幾百億人民幣定金，直接把這些廠今年一年的產(chǎn)量給包圓了。

要知道， SK 海力士上個月底剛實現(xiàn)量產(chǎn)交付 HBM3e 內(nèi)存，這不比隔壁小米 SU7 的大定猛多了？

而這么爽快的生意，可把隔壁三星饞壞了，急急忙忙在 2 月份發(fā)布了自家 HBM3e 樣品，立馬就發(fā)給滿世界客戶驗貨。

那為什么 HBM 內(nèi)存能這么受歡迎呢？

這就不得不提內(nèi)存技術長期以來的拉跨了。

在信息化時代，無論是游戲還是工作，電腦系統(tǒng)的運行速度其實是要靠處理器和內(nèi)存的互相配合的。

理論上，如果這倆速度接近，那肯定是最佳拍檔。

但過去的很長時間里，處理器的性能指數(shù)式暴漲，內(nèi)存和硬件之間的傳輸速度，卻壓根就跟不上。

在過去 20 年中，硬件的峰值計算能力增加了 90000 倍，但是內(nèi)存和硬件互連帶寬卻只是提高了 30 倍。

打個不是很貼切的比方，處理器相當于是中華小當家，內(nèi)存就是邊上配菜的助手，小當家技術再高，助手菜配不過來，上菜還是快不了。

所以這些年，內(nèi)存成了拖累計算機性能的拖油瓶，甚至有人把這種現(xiàn)象稱為 “ 內(nèi)存墻 ” 。

這些問題對于我們臭打游戲的來說，還算能接受，畢竟現(xiàn)在用著 1066 打 3A 的人肯定還不少。

真讓他們忙不過來的，其實是這兩年的 AI 大爆發(fā)。因為 AI 大模型的基礎離不開海量的數(shù)據(jù)和算力，而要想支撐這么大的數(shù)據(jù)處理和傳輸，就要打破 “ 內(nèi)存墻 ” 。

換句話說，打游戲?qū)τ谛‘敿襾碚f是點了四菜一湯，那隔壁 AI 隨便搞個訓練就相當于是要了一桌滿漢全席。

所以對于 AI 大廠們來說，內(nèi)存墻就像是鎖死自己發(fā)展水平的智子，而 HBM 就是那個破墻者。

和傳統(tǒng)的 DDR 內(nèi)存采用的 " 平房設計 " 不同，破墻者 HBM 采用了 " 樓房設計 " ，來了個降維打擊。

在芯片里造樓，主要靠的是硅通孔（ Through-Silicon Via , TSV ）這種先進封裝技術。

簡單來說，就是把不同的芯片疊在一起，中間打一堆孔，然后用銅管等導電物質(zhì)給接起來。

從物理意義上減小了數(shù)據(jù)傳輸距離、占地面積等等。

這樣一來，就能減小信號延遲、實現(xiàn)芯片的低功耗、增加帶寬等等一堆優(yōu)點。

隨著工藝水平提升， TSV 可以越做越小，密度越來越大，堆疊 Die 層數(shù)也能越來越多，就能進一步提升帶寬和傳輸速度以及最大容量。

前面提到三星最新產(chǎn)品，就已經(jīng)是 12 層堆棧容量高達 36 GB 的 HBM3e 了。

別看說起來這么簡單，實際上， HBM 技術里從材料、設計、封裝、散熱等等環(huán)節(jié)，都是難點。

而這些技術難點，大部分都是被韓國的 SK 海力士率先攻克的。

所以，像 HBM3 和 HBM3e 也都是由 SK 海力士率先突破并實現(xiàn)量產(chǎn)。

到了 HBM3 這一代，就已經(jīng)實現(xiàn)了高達 1024 位的數(shù)據(jù)路徑，運行速率也達到了驚人的 6.4 Gb/s ，帶寬高達 819 Gb/s 。

而最新的 HBM3e ，其實是 HBM 內(nèi)存技術家族的第五代產(chǎn)品，它的最高數(shù)據(jù)處理速度已經(jīng)達到了每秒 1.18TB （太字節(jié)），相當于 1 秒內(nèi)處理 200 多部全高清（ FHD ）級別的電影。

別看 HBM 賽道目前還有 SK 海力士、三星和美光御三家在玩，但無論是從發(fā)展時間、技術突破還是量產(chǎn)速度上， SK 海力士一直獨占鰲頭，光他們一家就占領了一半左右的市場份額。

排在身后的，則是同為韓國企業(yè)的三星，這家伙今年又一口氣組建了兩個 HBM 團隊想要追趕上進度。

而美國的美光雖然放出話來，自家跳過研發(fā) HBM3 ，直接成功完成了 HBM3e 的研究。

甚至如今還成為了英偉達的供貨商之一，但世超覺得，這么大的口氣，還有待市場驗證。

所以，這么捋下來，英偉達的 AI 軍火商計劃，還真得建立在這些 HBM 廠商的供貨上。

雖然大家都在說， AI 界硬通貨是 H100 、是 B200 。

誰能想到，最終居然還被韓國卡著一道呢？

圖片、資料來源：

太平洋證券：AI服務器催化HBM需求爆發(fā)，核心工藝變化帶來供給端增量 —算力系列報告（一）

東方財富證券：玻璃通孔(TGV)為硅通孔(TSV)有效補 充，AI+Chiplet趨勢下大有可為

中郵證券：先進封裝關鍵技術——TSV 研究框架

Micron：Micron Commences Volume Production of Industry-Leading HBM3E Solution to Accelerate the Growth of AI

SK hynix：SK hynix Develops World's Best Performing HBM3E, Provides Samples to Customer for Performance Evaluation

Samsung：Samsung Develops Industry-First 36GB HBM3E 12H DRAM

NVIDIA：NVIDIA DGX B200

半導體產(chǎn)業(yè)縱橫：HBM3E起飛，沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

華爾街見聞：高盛談HBM：四年十倍的市場，海力士將占據(jù)過半份額，美光或后來居上

文章來源：差評

 
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